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MMBZ12VALT1G
单向 8.5V截止 峰值浪涌电流：2.35A
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- 描述
- 双单片硅齐纳二极管专为需要瞬态过压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件适用于电路板空间有限的情况。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- MMBZ12VALT1G
- 商品编号
- C2931139
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 8.5V | |
| 钳位电压 | 17V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 2.35A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 40W@1.0ms | |
| 击穿电压 | 12V | |
| 反向电流(Ir) | 200nA | |
| 通道数 | 双路 | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 |