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FDS8958A
耐压:30V 电流:5A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS8958A
- 商品编号
- C2931003
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 575pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 145pF |
商品概述
WNM5002是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于小信号开关。标准产品WNM5002无铅且无卤。
商品特性
- Q1:N沟道
- 7.0 A、30 V,VGS = 10 V时,RDS(on) = 0.028 Ω
- VGS = 4.5 V时,RDS(on) = 0.040 Ω
- Q2:P沟道
- -5 A、-30 V,VGS = -10 V时,RDS(on) = 0.052 Ω
- VGS = -4.5 V时,RDS(on) = 0.080 Ω
- 开关速度快
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和处理能力
应用领域
- 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤等
- 电源转换器电路
- 便携式设备的负载/电源开关