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AOD7N65
耐压:650V 电流:7A
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- 描述
- 采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在在流行的AC-DC应用中提供高性能和高可靠性。通过提供低导通电阻（RDS(on)）、低输入电容（Ciss）和低反向传输电容（Crss），以及有保证的雪崩能力，这些产品可以快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOD7N65
- 商品编号
- C2931061
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.388克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.56Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.18nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品特性
- TrenchFET第四代P沟道功率MOSFET
- 极低的RDS(on)可将电压降降至最低并降低传导损耗
- 无需电荷泵
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 适配器和充电器开关
- 电池和电路保护
- 或门（OR-ing）
- 负载开关
- 电机驱动控制