FM5113是一款高精度的单节内置MOSFET可充电锂电池的保护电路,它集高精度过电压充电保护、过电压放电保护、过电流放电保护等性能于一身。
正常状态下,FM5113的VDD端电压在过电压充电保护阈值(VOC)和过电压放电保护阈值(VOD)之间,且其VM检测端电压在充电器检测电压(VCHG)与过电流放电保护阈值(VEDI)之间,此时FM5113使内置N - MOS管导通。这时,既可以使用充电器对电池充电,也可以通过负载使电池放电。
FM5113通过检测VDD或VM端电压(相对于GND端)来进行过充/放电保护。当充/放电保护条件发生时,内置N - MOS由导通变为截止,从而充/放电过程停止。
FM5113对每种保护状态都有相应的恢复条件,当恢复条件满足以后,内置N - MOS由截止变为导通,从而进入正常状态。
FM5113对每种保护/恢复条件都设置了一定的延迟时间,只有在保护/恢复条件持续到相应的时间以后,才进行相应的保护/恢复。如果保护/恢复条件在相应的延迟时间以前消除,则不进入保护/恢复状态。
FM5113工作时功耗非常低,采用非常小的DFN2*2DD - 6L的封装,使得该芯片非常适合应用于空间限制小的可充电电池应用。