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SI4465ADY-T1-E3
1个P沟道 耐压:8V 电流:13.7A
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- 描述
- 特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 标准。 TrenchFET 功率 MOSFET。 额定电压 1.8 V。 100% Rg 测试
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4465ADY-T1-E3
- 商品编号
- C2927409
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.128克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 8V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 6.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 85nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- -30V、-5.3A，VGS = -10V 时，RDS(ON) = 50 mΩ
- VGS = -4.5V 时，RDS(ON) = 90 mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的 RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
- 表面贴装封装