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BLM10P03-E
30V P沟道功率MOSFET
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- 描述
- BLM10P03采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻[RDS(ON)]和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- BL(上海贝岭)
- 商品型号
- BLM10P03-E
- 商品编号
- C2927424
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.243克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- VDS = -30V,ID = -24A(PDFN3.3*3.3)
- ID = -30A(PDFN5*6)
- ID = -15A(SOP8)
- ID = -40A(TO-252)
- 在VGS = -10V时,RDS(ON) < 10mΩ
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 15mΩ
- 高密度单元设计,降低导通电阻
- 优秀的封装,散热性能良好
应用领域
-电源开关应用-硬开关和高频电路-电池保护
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