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BLM10P03-E实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BLM10P03-E

30V P沟道功率MOSFET

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描述
BLM10P03采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻[RDS(ON)]和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
品牌名称
BL(上海贝岭)
商品型号
BLM10P03-E
商品编号
C2927424
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.243克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)15A
导通电阻(RDS(on))15mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)3.3W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.4V@250uA
栅极电荷量(Qg)36nC@10V
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

数据手册PDF