温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI7110DN-T1-GE3
N沟道 MOSFET,电流:21.1A,耐压:20V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7110DN-T1-GE3
- 商品编号
- C2928203
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进技术制造。该技术使功率MOSFET具备更优特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷，尤其是出色的雪崩特性。
商品特性
- 提供无卤选项
- TrenchFET第二代功率MOSFET
- 新型低热阻PowerPAK封装,高度仅1.07 mm
- 针对PWM优化
- 100%进行Rg测试
应用领域
-同步整流-同步降压
相似推荐
其他推荐