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SI7155DP-T1-GE3
1个P沟道 耐压:40V 电流:100A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen II p沟道功率MOSFET。 行业领先的RDS(on)规格（截至2017年11月）。 100%进行Rg和UIS测试。应用：适配器和充电器开关。 负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7155DP-T1-GE3
- 商品编号
- C2927416
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.37uC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.9nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.37nF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
- 分裂栅沟槽 MOSFET 技术
- 出色的散热封装
- 用于低漏源导通电阻的高密度单元设计
商品特性
- 漏源电压 60V
- 漏极电流 200A
- 漏源导通电阻（栅源电压 = 10V 时）< 2.9 欧姆
- 漏源导通电阻（栅源电压 = 4.5V 时）< 3.6 毫欧姆
- 100% 非钳位感性开关测试
- 100% 漏源电压变化测试
应用领域
-消费电子电源-隔离式 DC-DC 转换器-电机控制-逆变器