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GT110N06D5
1个N沟道 耐压:60V 电流:45A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷，可用于各种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT110N06D5
- 商品编号
- C2916106
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.217克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.202nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 267pF |
商品特性
~~- 低热阻-快速开关-高输入阻抗-符合RoHS规范-低热阻-快速开关-高输入阻抗-符合RoHS规范
应用领域
- 电子镇流器-电子变压器-开关电源-电子镇流器-电子变压器-开关电源