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IPA60R180P7S实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IPA60R180P7S

1个N沟道 耐压:600V 电流:18A

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描述
CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。
品牌名称
Infineon(英飞凌)
商品型号
IPA60R180P7S
商品编号
C2916134
商品封装
TO-220FP-3​
包装方式
管装
商品毛重
3.1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)18A
导通电阻(RDS(on))145mΩ@10V
耗散功率(Pd)26W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V@0.28mA
栅极电荷量(Qg)25nC@10V
输入电容(Ciss)1.081nF
反向传输电容(Crss)381pF@400V
工作温度-40℃~+150℃
输出电容(Coss)19pF

数据手册PDF

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