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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPW65R080CFD

耐压:650V 电流:43.3A

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描述
CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。所得器件具有快速开关SJ MOSFET的所有优点,同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的坚固性相结合,使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。
商品型号
IPW65R080CFD
商品编号
C2916133
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
9.52克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)43.3A
导通电阻(RDS(on))80mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)391W
阈值电压(Vgs(th))4.5V
栅极电荷量(Qg)167nC@10V
输入电容(Ciss)5.03nF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 超快体二极管
  • 极高的换向耐用性
  • 由于极低的品质因数Rdson*Qg和Eoss,损耗极低
  • 易于使用/驱动
  • 无铅镀层,无卤模塑料
  • 符合JEDEC(J - STD20和JESD22)工业级应用标准

应用领域

  • 650V CoolMOS CFD2特别适用于谐振开关PWM级,例如用于PC电源、液晶电视、照明、服务器、电信和太阳能领域。

数据手册PDF