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E18P100KC
1个P沟道 耐压:100V 电流:18A
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- 描述
- 1个P沟道漏源电压(Vdss):100V连续漏极电流(Id):18A功率(Pd)36.7W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)35nC@-10V输入电容(Ciss@Vds)2110pF@-50V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)
- 品牌名称
- Existar(毅芯达)
- 商品型号
- E18P100KC
- 商品编号
- C29781157
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.478克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 36.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.11nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 低导通电阻RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 高电流承载能力
- 绿色产品（符合RoHS标准），无铅
- 100%进行UIS测试，100%进行栅极电阻Rg测试
- 通过AEC-Q101认证