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E080N020HL1实物图
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E080N020HL1

1个N沟道 耐压:80V 电流:35A

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描述
1个N沟道漏源电压(Vdss):80V连续漏极电流(Id):35A功率(Pd)35W阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)13nC@10V输入电容(Ciss@Vds)792pF@25V工作温度-55 ℃~+ 175℃@(Tj)
品牌名称
Existar(毅芯达)
商品型号
E080N020HL1
商品编号
C29781173
商品封装
PDFN5x6-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.28克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)35A
导通电阻(RDS(on))20mΩ@10V
耗散功率(Pd)35W
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)13nC@10V
输入电容(Ciss)792pF
反向传输电容(Crss)29pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)342pF

商品特性

  • 国际标准封装
  • 低漏源导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(QG)
  • 雪崩额定值
  • 低封装电感
  • 高功率密度
  • 易于安装
  • 节省空间

应用领域

  • 开关模式和谐振模式电源
  • 直流-直流转换器
  • 功率因数校正(PFC)电路
  • 交流和直流电机驱动器
  • 机器人和伺服控制

数据手册PDF