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E100P045CL1
P沟道,电流:-40A,耐压:-100V
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- 描述
- 1个P沟道漏源电压(Vdss):100V连续漏极电流(Id):40A功率(Pd)102W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):45mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)98nC@-10V输入电容(Ciss@Vds)2300pF@-25V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)
- 品牌名称
- Existar(毅芯达)
- 商品型号
- E100P045CL1
- 商品编号
- C29781153
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4728克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 102W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 98nC@50V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
商品特性
- 沟槽双扩散金属氧化物半导体(Trench DMOS)技术
- 低热阻
- 100%雪崩测试
应用领域
- 快速开关