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E060P032CL1
1个P沟道 耐压:60V 电流:34A
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- 描述
- 1个P沟道漏源电压(Vdss):60V连续漏极电流(Id):34A功率(Pd)79W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):32mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)68nC@-10V输入电容(Ciss@Vds)4026pF@-25V工作温度-55 ℃~+ 175℃@(Tj)
- 品牌名称
- Existar(毅芯达)
- 商品型号
- E060P032CL1
- 商品编号
- C29781152
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.55克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 79W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.026nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 98pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 134pF |
商品概述
NCE2301E是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，并且在超小外形的表面贴装封装中需要低在线功率损耗。
商品特性
- -20V / -4.3A，RDS(ON) = 30mΩ（典型值）@VGS = -4.5V
- -20V / -3.5A，RDS(ON) = 40mΩ（典型值）@VGS = -2.5V
- -20V / -2.0A，RDS(ON) = 56mΩ（典型值）@VGS = -1.8V
- -20V / -1.0A，RDS(ON) = 85mΩ（典型值）@VGS = -1.5V
- 为极低的RDS(ON)进行超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOT23-3封装设计
- P沟道
应用领域
- 电源管理-便携式设备-DC/DC转换器-负载开关-数码相机-LCD显示器逆变器