温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TSM9426DCS RL-VB
N沟道 耐压:20V 电流:10A
- 描述
- SOP8；2个N—Channel沟道,20V；10A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=0.5~1V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- TSM9426DCS RL-VB
- 商品编号
- C29779670
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V；12mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 586pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 117pF |
商品特性
- 根据IEC 61249 - 2 - 21定义为无卤产品
- 沟槽功率MOSFET
- 经过100%单脉冲雪崩耐量(UIS)测试
- 经过100%抗振铃(Rq)测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
-机顶盒-低电流DC/DC转换器