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SIS444DN-T1-GE3-VB
N沟道 耐压:30V 电流:60A
- 描述
- DFN8(3X3)；N—Channel沟道,30V；60A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V；Vth=0.5~1.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SIS444DN-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C29779675
- 商品封装
- DFN3x3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 102nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 360pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 406pF |
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义,无卤
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行 Rq 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 机顶盒
- 低电流DC/DC
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