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G03N10
N沟道,电流:3A,耐压:100V
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- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G03N10
- 商品编号
- C2900587
- 商品封装
- SOT-89-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 690pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 用于超低导通电阻(RDS(on))的高密度单元设计
- 具备高静电放电(ESD)能力的特殊工艺技术
- 利于良好散热的出色封装
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 防潮等级1级
- 无卤“绿色”器件
- 无铅表面处理/符合RoHS标准(“P”后缀表示符合RoHS标准)
应用领域
- 负载开关
- 电池保护