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JSM10N15
1个N沟道 耐压:150V 电流:10A
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- 描述
- 适用于一般开关和低压电源电路、开关速度较快、导通电阻低。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- JSM10N15
- 商品编号
- C2900591
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 74pF |
商品概述
CS25N50 ANR是一款硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管，采用自对准平面技术制造，可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 3P (N)，符合RoHS标准。
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻（Rdson ≤ 0.27Ω）
- 低栅极电荷（典型数据：64 nC）
- 低反向传输电容（典型值：10 pF）
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 适配器和充电器的功率开关电路。
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