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JSM10N15
1个N沟道 耐压:150V 电流:10A
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- 描述
- 适用于一般开关和低压电源电路、开关速度较快、导通电阻低。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- JSM10N15
- 商品编号
- C2900591
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 74pF |
商品概述
- 沟槽功率MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 用于低导通电阻（Rds(on)）的高密度单元设计
- 湿度敏感度等级1
- 环氧树脂符合UL 94 V - 0阻燃等级
- 无卤
商品特性
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- 漏源电压（VDs）：150V
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- 漏极电流（D）：10A
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- 导通电阻（Rds(on)）（在栅源电压Vgs = 10V时）：<300mΩ
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- 100%进行EAS测试
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- 100%进行VVDs测试
应用领域
- 功率开关应用
- 不间断电源
- DC - DC转换器
- 电机驱动器