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3253EPA
高压栅半桥驱动
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- 描述
- 相同型号IMP3253EPA/T 3253 是一款高压、高速功率MOSFET 和IGBT 栅极驱动器，内部集成了高压半桥驱动电路和一个前置振荡器，行程一款多功能、更加安全的功率驱动芯片。管脚CT 具有保护关断功能，可以用一个低电压信号使驱动器停止输出。此外，输出脉冲的宽度保持一致，一旦VCC 上电流超过开启阈值，驱动器就能以更加稳定的频率振荡。
- 品牌名称
- VP(中芯集成)
- 商品型号
- 3253EPA
- 商品编号
- C336589
- 商品封装
- DIP-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.933克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 工作电压 | 10V~16.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 80ns | |
| 下降时间(tf) | 45ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -25℃~+125℃ | |
| 静态电流(Iq) | 500uA |
商品概述
3253 是一款高压、高速功率MOSFET 和IGBT 栅极驱动器，内部集成了高压半桥驱动电路和一个前置振荡器，行程一款多功能、更加安全的功率驱动芯片。管脚CT 具有保护关断功能，可以用一个低电压信号使驱动器停止输出。此外，输出脉冲的宽度保持一致，一旦VCC 上电流超过开启阈值，驱动器就能以更加稳定的频率振荡。同时，通过降低栅极驱动的di/dt 的峰值，欠压闭锁阈值的迟滞电压为1V，使电路的抗噪声性能有大幅度提高。芯片的Latch-up 和ESD 性能良好。
商品特性
- 内部集成600V 高压半桥驱动器
- VCC 到COM 之间有16.1V 钳位齐纳管
- 超低启动电流
- 内部死区时间控制，并且随着温度变化死区时间变化很小
- CT 管脚实现保护关断功能
- 增加欠压保护的迟滞电压（1V）
- 启动阶段VLO 和VHO 输出脉冲宽度恒定
- 更低的栅极驱动峰值（di/dt）以提高抗干扰能力
- 低压输出端信号逻辑和RT 端相同
- 绿色无铅产品