1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
- 20+: ¥0.226464 / 个
- 200+: ¥0.181471 / 个
- 600+: ¥0.156475 / 个
- 3000+: ¥0.134979 / 个 (折合1圆盘404.94元)
- 9000+: ¥0.121981 / 个 (折合1圆盘365.94元)
- 21000+: ¥0.114982 / 个 (折合1圆盘344.95元)
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¥0.156475 / 个 |
3000+: |
¥0.134979 / 个 (折合1圆盘404.94元) |
9000+: |
¥0.121981 / 个 (折合1圆盘365.94元) |
21000+: |
¥0.114982 / 个 (折合1圆盘344.95元) |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 3A | |
功率(Pd) | 1W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 110mΩ@4.5V,3A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 900mV@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 12nC@2.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 405pF@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |