1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
- 10+: ¥0.309337 / 个
- 100+: ¥0.253337 / 个
- 300+: ¥0.225337 / 个
- 3000+: ¥0.1897 / 个 (折合1圆盘569.1元)
- 6000+: ¥0.1729 / 个 (折合1圆盘518.7元)
- 9000+: ¥0.1645 / 个 (折合1圆盘493.5元)
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¥0.1729 / 个 (折合1圆盘518.7元) |
9000+: |
¥0.1645 / 个 (折合1圆盘493.5元) |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 4A | |
功率(Pd) | 1.4W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 45mΩ@4A,4.5V | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 900mV@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 12nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 950pF@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |