1个N沟道 耐压:30V 电流:3.6A
- 10+: ¥0.24214 / 个
- 100+: ¥0.19814 / 个
- 300+: ¥0.17614 / 个
- 3000+: ¥0.140342 / 个 (折合1圆盘421.03元)
- 6000+: ¥0.127142 / 个 (折合1圆盘381.43元)
- 9000+: ¥0.120542 / 个 (折合1圆盘361.63元)
10+: |
¥0.24214 / 个 |
100+: |
¥0.19814 / 个 |
300+: |
¥0.17614 / 个 |
3000+: |
¥0.140342 / 个 (折合1圆盘421.03元) |
6000+: |
¥0.127142 / 个 (折合1圆盘381.43元) |
9000+: |
¥0.120542 / 个 (折合1圆盘361.63元) |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
功率(Pd) | 1.7W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 58mΩ@10A,3.6A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.2V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 4nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 230pF@15V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |