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20N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:25A
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- 描述
- N沟道 60V,20A,80mΩ@4.5V
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- 20N06
- 商品编号
- C337511
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 41W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.609nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 72pF |
商品概述
20N06采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可广泛应用于各类场景。
商品特性
- 漏源电压VDS：60V
- 当栅源电压VGS = 10V时，漏极电流ID为25A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 24 mΩ
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 27 mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率开关
- 直流-直流转换器