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G15N10C
N沟道,电流:15A,耐压:100V
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- 描述
- N管，100V,15A,开启2.0V,70mΩ@10V
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G15N10C
- 商品编号
- C337513
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.394克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 78mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.167nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 34pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
G15N10C将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于功率开关应用和LED背光。
商品特性
- 超低导通电阻
- 高单脉冲雪崩耐量(UIS),且UIS100% 测试
应用领域
-功率开关应用-LED背光