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G15N10C
N沟道,电流:15A,耐压:100V
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- 描述
- N管，100V,15A,开启2.0V,70mΩ@10V
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G15N10C
- 商品编号
- C337513
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.394克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 28W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 612pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 91pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- TrenchFET第四代P沟道功率MOSFET
- 极低的栅极-漏极电荷Qgd（米勒电容），且Qgd/Qgs比率 < 1
- 100%进行栅极电阻Rg和非钳位电感开关UIS测试
应用领域
-适配器和充电器开关-负载开关-电机驱动控制-DC/DC转换器-电源