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WML10N65C4
耐压:650V 电流:8A
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- 描述
- WMOSTM C4是第四代超结MOSFET系列产品，采用电荷平衡技术，具备极低的导通电阻和栅极电荷特性。WMOSTM C4适用于对功率密度和效率要求极高的应用场景。
- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WML10N65C4
- 商品编号
- C2885754
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.919克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 27W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 415pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 950fF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 19pF |
商品概述
WSF38P10是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSF38P10符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩能量（EAS）测试，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 最高结温Tj时,VDS = 700 V
- 典型RDS(on) = 0.52 Ω
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量测试
- 无铅镀层、无卤素
应用领域
-LED照明-充电器-适配器-个人电脑-液晶电视-服务器