我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐合作库存PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
WML13N65EM实物图
  • WML13N65EM商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

WML13N65EM

650V,电流:11A,耐压:700V

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
商品型号
WML13N65EM
商品编号
C2885755
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
3.043克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)11A
导通电阻(RDS(on))390mΩ@10V
耗散功率(Pd)31W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)20.3nC@10V
输入电容(Ciss)710pF
反向传输电容(Crss)25pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

WSF50P04是一款高性能沟槽P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 WSF50P04符合RoHS标准和绿色产品要求,100%保证具有抗雪崩能力(EAS),并通过了全功能可靠性认证。

商品特性

  • 最大结温Tj时,VDS = 700 V
  • 典型RDS(on) = 0.35 Ω
  • 100%进行UIS测试
  • 无铅镀层、无卤素
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • LED照明
  • 充电器
  • 适配器
  • 个人电脑
  • 液晶电视
  • 服务器

数据手册PDF