WML13N65EM
650V,电流:11A,耐压:700V
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- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WML13N65EM
- 商品编号
- C2885755
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 390mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 710pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
WSF50P04是一款高性能沟槽P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 WSF50P04符合RoHS标准和绿色产品要求,100%保证具有抗雪崩能力(EAS),并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 最大结温Tj时,VDS = 700 V
- 典型RDS(on) = 0.35 Ω
- 100%进行UIS测试
- 无铅镀层、无卤素
- 符合RoHS标准
应用领域
- LED照明
- 充电器
- 适配器
- 个人电脑
- 液晶电视
- 服务器
