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G1208
1个P沟道 耐压:12V 电流:8A
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- 描述
- 特性：先进的沟槽MOSFET工艺技术。 超低导通电阻和低栅极电荷。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 湿度敏感度等级1。 无卤“绿色”器件。 无铅涂层/符合RoHS标准（“P”后缀表示符合RoHS标准）
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G1208
- 商品编号
- C2885695
- 商品封装
- DFN2020-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.275nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 236pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 255pF |
商品概述
WSD80120DN56是一款高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD80120DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备完整的可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%雪崩能量耐量（EAS）保证
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 高功率DC/DC转换器和开关模式电源
- 直流电机控制和D类放大器
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