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630A
1个N沟道 耐压:200V 电流:9A
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- 描述
- 特性：快速开关。 100%雪崩测试。 改善的dv/dt能力。 符合RoHS标准。应用：DC电机控制和D类放大器。 不间断电源（UPS）
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- 630A
- 商品编号
- C2886283
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.35克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 330mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 510pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
WSD40P10DN56是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSD40P10DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备全面的可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%雪崩能量耐量（EAS）保证
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 用于移动电脑（MB）、笔记本电脑（NB）、超便携个人电脑（UMPC）、显卡（VGA）的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流 - 直流电源系统
- 负载开关