温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WMO10N65C4
N沟道 耐压:650V 电流:8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- WMOSTM C4是第四代超结MOSFET系列产品，采用电荷平衡技术，具备极低的导通电阻和栅极电荷特性。WMOSTM C4适用于对功率密度和效率要求极高的应用场景。
- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WMO10N65C4
- 商品编号
- C2885767
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 57W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 415pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 950fF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 19pF |
商品概述
WMOS™ EM是第三代超结MOSFET系列，采用电荷平衡技术，实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOSS™ EM适用于要求卓越功率密度和出色效率的应用。
商品特性
- 最大结温(Tj)下,VDS = 700 V
- 典型RDS(on) = 0.52 Ω
- 进行100%单脉冲雪崩耐量(UIS)测试
- 无铅电镀、无卤
应用领域
- LED照明
- 充电器
- 适配器
- 个人电脑(PC)
- 液晶电视(LCD TV)
- 服务器
其他推荐
- RF-BM-4044B2
- P24C02A-TSH-MIR
- P25Q16U-SSH-IT
- G1208
- RS601A-1010011BB
- RS601A-1010011R3B
- RS601A-1010015BB
- RS601HL-1010011BB
- RS601HL-1020011BB
- RS601-1020011BB
- RS601D-201N006RB
- RS601B-101N001R1B
- RS606-1010011CBB
- RS606-101N011CRB
- RS606-10N011CG1B-3A
- RS606-201N011CRB
- RS606B-201N012CRB
- RS606A-101N012BRB
- S601C-101N011RB
- RS606BE-2010002CBB
- DB-14-F4-2.0