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WMO10N65C4实物图
  • WMO10N65C4商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

WMO10N65C4

N沟道 耐压:650V 电流:8A

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描述
WMOSTM C4是第四代超结MOSFET系列产品，采用电荷平衡技术，具备极低的导通电阻和栅极电荷特性。WMOSTM C4适用于对功率密度和效率要求极高的应用场景。
品牌名称
Wayon(上海维安)
商品型号
WMO10N65C4
商品编号
C2885767
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on))600mΩ@10V
耗散功率(Pd)57W
阈值电压(Vgs(th))4V@0.25mA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)3.5nC@10V
输入电容(Ciss)415pF
反向传输电容(Crss)950fF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)19pF

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