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WMO08N65C4
650V, 6A, 700V N沟道MOSFET
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- 描述
- WMOSTM C4是第四代超结MMOSFET产品系列，采用电荷平衡技术，具有极低的导通电阻和栅极电荷特性。WMOSTM C4适用于对功率密度和效率要求极高的应用场景。
- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WMO08N65C4
- 商品编号
- C2885765
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.55496克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 780mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 336pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 336pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
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