TLC3702MDREP
TLC3702MDREP
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- 描述
- TLC3702-EP 增强型产品二路微功耗 Lincmos(Tm) 电压比较器
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- TLC3702MDREP
- 商品编号
- C2878199
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 比较器 | |
| 比较器数 | 双路 | |
| 输入失调电压(Vos) | 1.2mV | |
| 输入偏置电流(Ib) | 5pA | |
| 传播延迟(tpd) | 2.7us | |
| 滞后电压(Vhys) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 共模抑制比(CMRR) | - | |
| 输出类型 | - | |
| 输出模式 | TTL；CMOS | |
| 静态电流(Iq) | 18uA | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ |
商品概述
TLC3702由两个独立的微功耗电压比较器组成，设计用于单电源供电，并与现代HCMOS逻辑系统兼容。它们在功能上与LM339相似，但在相似的响应时间下，功耗仅为LM339的二十分之一。推挽式CMOS输出级可直接驱动容性负载，无需使用耗电的上拉电阻即可达到规定的响应时间。省去上拉电阻不仅降低了功耗，还节省了电路板空间和元件成本。输出级也完全符合TTL要求。 德州仪器的LinCMOS工艺比标准CMOS工艺具有更出色的模拟性能。除了具备标准CMOS在不牺牲速度的前提下实现低功耗、高输入阻抗和低偏置电流等优势外，LinCMOS工艺在大差分输入电压下还能提供极其稳定的输入失调电压。这一特性使得构建可靠的CMOS比较器成为可能。
商品特性
- 受控基线——单一组装/测试地点、单一制造地点
- 扩展温度性能范围为 -55°C至125°C
- 增强型减少制造源（DMS）支持
- 增强型产品变更通知资格认证记录
- 推挽式CMOS输出无需上拉电阻即可驱动容性负载，I₀ = ±8 mA
- 极低功耗……5 V时典型值为100 μW
- 快速响应时间……在5 - mV过驱动下，tPLH典型值为2.7 μs
- 单电源供电……4 V至16 V
- 片上ESD保护
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
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