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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LPB3408LT1G

30V P沟道MOSFET,电流:-5.5A,耐压:-30V

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商品型号
LPB3408LT1G
商品编号
C2857370
商品封装
SOT-23LC​
包装方式
编带
商品毛重
0.034克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.5A
导通电阻(RDS(on))48mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.4W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)10nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.31nF
反向传输电容(Crss)112pF
工作温度-50℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)131pF

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = -30V
  • 当栅源电压(VGS)为 -10V、漏源电流(IDS)为 -7.3A 时,导通电阻(RDS(ON)) ≤ 35mΩ
  • 当栅源电压(VGS)为 -4.5V、漏源电流(IDS)为 -5.9A 时,导通电阻(RDS(ON)) ≤ 48mΩ
  • 低导通电阻(RDS(ON))沟槽技术。
  • 低热阻。
  • 快速开关速度。
  • 我们声明产品材料符合 RoHS 要求且无卤。

应用领域

-负载开关-直流-直流转换-电机驱动

数据手册PDF