S-LN03N060TZHG
60V N沟道增强型MOSFET
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- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- S-LN03N060TZHG
- 商品编号
- C2857376
- 商品封装
- SOT-223-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 58mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 605pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 低导通电阻(RDS(on))沟槽技术。
- 低热阻。
- 快速开关速度。
- 我们声明产品材料无卤素且符合 RoHS 要求。
- S 前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力。
应用领域
- 功率路由
- 直流-直流转换
- 电机驱动