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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LN2670TZHG

1个N沟道 耐压:60V 电流:4.6A

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描述
特性:低导通电阻(RDS(on))沟槽技术。 低热阻。 快速开关速度。 产品材料无卤,符合RoHS要求。应用:电源路由。 DC/DC转换
商品型号
LN2670TZHG
商品编号
C2857374
商品封装
SOT-89​
包装方式
编带
商品毛重
0.125克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)4.6A
导通电阻(RDS(on))85mΩ@5V
耗散功率(Pd)1.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.2V
栅极电荷量(Qg)14.6nC@10V
输入电容(Ciss)612pF
反向传输电容(Crss)34pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品特性

  • 低导通电阻(RDS(on))沟槽技术。
  • 低热阻。
  • 快速开关速度。
  • 我们声明该产品的材料无卤素,且符合RoHS要求。

应用领域

-功率路由-直流-直流转换-电机驱动

数据手册PDF