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OSG80R1K4DF
1个N沟道 耐压:800V 电流:4A
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- 描述
- 采用电荷平衡技术，实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。针对极致开关性能进行优化，以最大限度地减少开关损耗。专为高功率密度应用量身定制，以满足最高效率标准。
- 商品型号
- OSG80R1K4DF
- 商品编号
- C2856221
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@10V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 37W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 363.5pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.35pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
GreenMOS高压MOSFET采用电荷平衡技术，实现了出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。其设计旨在最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。 GreenMOS通用系列针对极致开关性能进行了优化，以最大限度地减少开关损耗。它专为高功率密度应用而设计，以满足最高效率标准。
商品特性
- 低RDS(ON)和品质因数（FOM）
- 极低的开关损耗
- 出色的稳定性和一致性
应用领域
- 电脑电源-LED照明-电信电源-服务器电源-电动汽车充电器-太阳能/不间断电源(UPS)