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HGQ065NE4A
1个N沟道 耐压:45V 电流:60A
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- 描述
- HGQ065NE4A是硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），采用高密度沟槽技术制造，可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该器件适用于作为负载开关和脉宽调制（PWM）应用。其封装形式为PDFN5*6，符合RoHS标准
- 品牌名称
- CRMICRO(华润微)
- 商品型号
- HGQ065NE4A
- 商品编号
- C2856226
- 商品封装
- PDFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.211克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 45V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1556nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31.87pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 493pF |
商品概述
AP6800采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 5.8A
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 32mΩ
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 28mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- 电池保护-负载开关-电源管理