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HGQ065NE4A
1个N沟道 耐压:45V 电流:60A
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- 描述
- HGQ065NE4A是硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），采用高密度沟槽技术制造，可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该器件适用于作为负载开关和脉宽调制（PWM）应用。其封装形式为PDFN5*6，符合RoHS标准
- 品牌名称
- CRMICRO(华润微)
- 商品型号
- HGQ065NE4A
- 商品编号
- C2856226
- 商品封装
- PDFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.211克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 45V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1556nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31.87pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 493pF |
商品概述
AP6800采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻(Rd(on)为6.5 mΩ)
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
-适配器和充电器的电源开关电路-电子烟、电动工具