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HGE055NE4A
1个N沟道 耐压:45V 电流:18A
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- 描述
- HGE055NE4A是一款采用高密度沟槽技术制造的硅N沟道增强型VDMOSFET，该技术可降低导通损耗、提升开关性能并增强雪崩能量。这款晶体管可用于各类功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为SOP8，符合RoHS标准
- 品牌名称
- CRMICRO(华润微)
- 商品型号
- HGE055NE4A
- 商品编号
- C2856225
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.243克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 45V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.156nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 493pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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