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OSG80R250FF
增强模式N沟道功率MOSFET 1个N沟道 耐压:800V 电流:17A
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- 描述
- 采用电荷平衡技术，实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。针对极致开关性能进行优化，以最大限度地降低开关损耗。专为高功率密度应用量身定制，以满足最高效率标准。
- 商品型号
- OSG80R250FF
- 商品编号
- C2856222
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4254nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HGE055NE4A是采用高密度沟槽技术制造的硅N沟道增强型VDMOSFET，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为SOP8，符合RoHS标准。
商品特性
- 低RDS(ON)和品质因数
- 极低的开关损耗
- 出色的稳定性和一致性
应用领域
-电脑电源-LED照明-电信电源-服务器电源-电动汽车充电器-太阳能/不间断电源