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TPUT3N06G-AE3-R实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPUT3N06G-AE3-R

耐压:60V 电流:3A

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描述
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
TPUT3N06G-AE3-R
商品编号
C28642310
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.035233克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on))125mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)350mW
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)6nC@4.5V
输入电容(Ciss)247pF
反向传输电容(Crss)19.5pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)34pF

数据手册PDF