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TPUT3N06G-AE3-R
耐压:60V 电流:3A
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPUT3N06G-AE3-R
- 商品编号
- C28642310
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035233克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 247pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 34pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20V
- 栅源电压（VGS） = 2.5V时，导通电阻（RDS(ON)） = 300mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，导通电阻（RDS(ON)） = 250mΩ（典型值）
- 静电放电（ESD）保护高达2KV
应用领域
-负载/电源开关-接口开关-超小型便携式设备电池管理-逻辑电平转换