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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSS215P

耐压:20V 电流:2.8A

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描述
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
BSS215P
商品编号
C28646322
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.029167克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)2.8A
导通电阻(RDS(on))150mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)1.25W
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)12.7nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.16nF
反向传输电容(Crss)125pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)210pF

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = -12V
  • 漏极电流(ID) = -3.6 A
  • 栅源电压(VGS)为 -4.5 V 时,导通电阻(RDS(on))< 30 mΩ
  • 栅源电压(VGS)为 -2.5 V 时,导通电阻(RDS(on))< 53 mΩ
  • 沟槽功率中压MOSFET技术
  • 电压控制小信号开关
  • 快速开关速度

应用领域

  • 电池供电系统-固态继电器-直接逻辑电平接口:TTL/CMOS

数据手册PDF