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BSS84LT1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSS84LT1G

P沟道 耐压:50V 电流:0.13A

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描述
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
BSS84LT1G
商品编号
C28646323
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.031933克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)50V
连续漏极电流(Id)130mA
导通电阻(RDS(on))6Ω@10V
耗散功率(Pd)225mW
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
属性参数值
输入电容(Ciss)30pF@5V
反向传输电容(Crss)5pF@5V
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)10pF

商品概述

G300N04S2采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • VDS 40V
  • ID(VGS = 10 V时)5.5A
  • RDS(ON)(VGS = 10 V时)< 30 mΩ
  • RDS(ON)(VGS = 4.5 V时)< 40 mΩ
  • 100%雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 电源开关
  • DC/DC转换器

数据手册PDF