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IRLML6344TRPBF
P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- IRLML6344TRPBF
- 商品编号
- C28646354
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0329克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60V，漏极电流（ID） = 0.3A
- 栅源电压（VGS） = 4.5V 时，导通电阻（RDS(ON)） < 2.5Ω
- 栅源电压（VGS） = 10V 时，导通电阻（RDS(ON)） < 2.2Ω
- 静电放电（ESD）评级：人体模型（HBM） 2000V
应用领域
- 直接逻辑电平接口：晶体管 - 晶体管逻辑（TTL）/互补金属氧化物半导体（CMOS）
- 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等
- 电池供电系统
- 固态继电器