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TPM4614BS8
N沟道+P沟道 耐压:40V 电流:7.5A
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM4614BS8
- 商品编号
- C28642298
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2208克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 710pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20V
- 栅源电压（VGS） = 2.5V时，导通电阻（RDS(ON)） = 300mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，导通电阻（RDS(ON)） = 250mΩ（典型值）
- 静电放电（ESD）防护高达2KV
应用领域
-反接电池保护-负载开关-电源管理-电机控制-便携式电源适配器