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CJBA3134K-TP

N沟道 耐压:20V 电流:0.9A

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描述
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
CJBA3134K-TP
商品编号
C28646327
商品封装
DFN1006-3L​
包装方式
编带
商品毛重
0.00981克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)900mA
导通电阻(RDS(on))500mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)350mW
阈值电压(Vgs(th))1.1V@250uA
属性参数值
输入电容(Ciss)45pF@10V
反向传输电容(Crss)6pF@10V
工作温度-
类型N沟道
输出电容(Coss)9pF

商品特性

  • 封装和引脚配置:DFN1006-3L

应用领域

  • 负载/电源开关
  • 接口开关
  • 超小型便携式电子设备的电池管理
  • 逻辑电平转换

数据手册PDF