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CJBA3139K-TP
P沟道 耐压:20V 电流:0.66A
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- CJBA3139K-TP
- 商品编号
- C28646328
- 商品封装
- DFN-3L(1x0.6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.00975克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 660mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 100mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 输入电容(Ciss) | 170pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品特性
- 获得无铅产品认证
- 表面贴装封装
- 低导通电阻(RDS(on))的P沟道开关
- 可在低逻辑电平栅极驱动下工作
- 栅极具备静电放电(ESD)保护
- 与TPM2008EP3互补
应用领域
-负载/电源开关-接口开关-超小型便携式电子设备的电池管理-逻辑电平转换