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AO4614B

N沟道+P沟道 耐压:40V 电流:7.5A

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描述
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
AO4614B
商品编号
C28646314
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.1778克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)7.5A
导通电阻(RDS(on))58mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)19nC
输入电容(Ciss)710pF
反向传输电容(Crss)85pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道+P沟道

商品特性

  • 用于汽车应用的 OptiMOS™ 功率 MOSFET
  • N 沟道 - 增强模式 - 正常电平
  • 超出 AEC-Q101 的扩展认证
  • 增强型电气测试
  • 坚固耐用的设计
  • MSL2a,最高 260°C 峰值回流温度
  • 175°C 工作温度
  • 符合 RoHS 标准
  • 100% 雪崩测试

应用领域

-反接电池保护-负载开关-电源管理-电机控制-便携式电源适配器

数据手册PDF