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D4884
N沟道 耐压:30V 电流:28A
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- 描述
- D4884是一款高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。D4884符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过易感性雪崩耐量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- TF(拓锋)
- 商品型号
- D4884
- 商品编号
- C2839903
- 商品封装
- PDFN3333-8
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 57pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
商品概述
80N03 TO-252采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的 RDS(on)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%经过雪崩能量耐量(EAS)测试
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 用于移动电脑(MB)、笔记本电脑(NB)、超便携个人电脑(UMPC)、显卡(VGA)的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关