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MT53E256M32D2DS-053 WT:B
LPDDR4/LPDDR4X 同步动态随机存取存储器
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- 描述
- 特性：超低电压核心和 I/O 电源：VDD1(overline) = 1.70-1.95V，标称值 1.80V；VDD2(overline) = 1.06-1.17V，标称值 1.10V；VDDQ(overline) = 1.06-1.17V，标称值 1.10V 或低 VDDQ(overline) = 0.57-0.65V，标称值 0.60V。 频率范围 2133-10 MHz（数据速率范围：4266-20 Mb/s/pin）。 16n 预取 DDR 架构。 每通道 8 个内部存储体，用于并发操作
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT53E256M32D2DS-053 WT:B
- 商品编号
- C2838451
- 商品封装
- VFBGA-200
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 1.866GHz | |
| 存储容量 | 8Gbit | |
| 工作电压 | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | -30℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能 |
商品特性
- 超低电压核心和 I/O 电源
- VDD1 = 1.70 - 1.95 V；标称值 1.80 V
- VDD2 = 1.06 - 1.17 V；标称值 1.10 V
- VDDQ = 1.06 - 1.17 V；标称值 1.10 V 或低 VDDQ = 0.57 - 0.65 V；标称值 0.60 V
- 频率范围 2133 - 10 MHz（数据速率范围：4266 - 20 Mb/s/引脚）
- 16n 预取 DDR 架构
- 每个通道有 8 个内部存储体用于并发操作
- 单数据速率 CMD/ADR 输入
- 每个字节通道有双向/差分数据选通
- 可编程的读取和写入延迟（RL/WL）
- 可编程且可实时调整的突发长度（BL = 16, 32）
- 针对每个存储体的定向刷新，便于并发存储体操作和命令调度
- 每个芯片最高可达 8.5 GB/s
- 片上温度传感器，用于控制自刷新速率
- 部分阵列自刷新（PASR）
- 可选输出驱动强度（DS）
- 时钟停止功能
- 符合 RoHS 标准的“绿色”封装
- 可编程 VSS（ODT）终端
- VDD1 / VDD2 / VDDQ：1.80 V / 1.10 V / 1.10 V 或 0.60 V
- 阵列配置：256 Meg × 16（1 通道 × 16 I/O）；256 Meg × 32（2 通道 × 16 I/O）
- 设备配置：256M16 × 1 芯片封装 D1；256M16 × 2 芯片封装 D2
- FBGA“绿色”封装：200 球 WFBGA（10mm × 14.5mm × DS 0.8mm，Ø0.35 SMD）；200 球 TFBGA（10mm × 14.5mm × FW 1.1mm，Ø0.40 SMD）
- 速度等级，周期时间：535ps @ RL = 32/36 -053；468ps @ RL = 36/40 -046
- 工作温度范围：-30°C 到 +85°C；-40°C 到 +95°C
- 版本：B