我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐合作库存PLUS会员BOM配单PCB/FPC/SMT工业品面板定制
MT53E256M32D2DS-053 WT:B实物图
  • MT53E256M32D2DS-053 WT:B商品缩略图
  • MT53E256M32D2DS-053 WT:B商品缩略图
  • MT53E256M32D2DS-053 WT:B商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MT53E256M32D2DS-053 WT:B

LPDDR4/LPDDR4X 同步动态随机存取存储器

描述
特性:超低电压核心和 I/O 电源:VDD1(overline) = 1.70-1.95V,标称值 1.80V;VDD2(overline) = 1.06-1.17V,标称值 1.10V;VDDQ(overline) = 1.06-1.17V,标称值 1.10V 或低 VDDQ(overline) = 0.57-0.65V,标称值 0.60V。 频率范围 2133-10 MHz(数据速率范围:4266-20 Mb/s/pin)。 16n 预取 DDR 架构。 每通道 8 个内部存储体,用于并发操作
品牌名称
micron(镁光)
商品型号
MT53E256M32D2DS-053 WT:B
商品编号
C2838451
商品封装
VFBGA-200​
包装方式
编带
商品毛重
0.2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录DDR SDRAM
存储器构架(格式)LPDDR4 SDRAM
时钟频率(fc)1.866GHz
存储容量8Gbit
属性参数值
工作电压1.1V
工作电流-
刷新电流-
工作温度-30℃~+85℃

数据手册PDF