MT53E256M32D2DS-053 WT:B

LPDDR4/LPDDR4X 同步动态随机存取存储器

描述

特性：超低电压核心和 I/O 电源：VDD1(overline) = 1.70-1.95V，标称值 1.80V；VDD2(overline) = 1.06-1.17V，标称值 1.10V；VDDQ(overline) = 1.06-1.17V，标称值 1.10V 或低 VDDQ(overline) = 0.57-0.65V，标称值 0.60V。 频率范围 2133-10 MHz（数据速率范围：4266-20 Mb/s/pin）。 16n 预取 DDR 架构。 每通道 8 个内部存储体，用于并发操作

品牌名称

micron(镁光)

商品型号

MT53E256M32D2DS-053 WT:B

商品编号

C2838451

商品封装

VFBGA-200​

包装方式

编带

商品毛重

0.2克(g)