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SI7846DP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:150V 电流:6.7A
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- 描述
- 特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。 TrenchFET 功率 MOSFET。 新型低热阻 PowerPAK 封装，高度仅 1.07mm。 PWM 优化，实现快速开关。 100% 进行 Rg 测试。应用：高密度 DC/DC 初级侧开关。 电信/服务器 48V DC/DC
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7846DP-T1-GE3
- 商品编号
- C2838494
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.244克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
WSD20L70DN是高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSD20L70DN符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），且通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%保证具有抗雪崩能力（EAS）
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 用于移动主板（MB）、笔记本电脑（NB）、超便携个人电脑（UMPC）、显卡（VGA）的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关